华人科学家用博蕴通管式炉成功研制原子级薄晶体管

时间: 2023-06-15 00:57:19     来源: 星空网页版

今日美国麻省理工大学的半导体研究团队用博蕴通管式炉成功开发出一种基于“二硫化钼的原子级薄晶体管”，这种晶体管将给饮片带来革命性的发展，毫不客气的说，未来的芯片将出现颠覆性的变化。

 

但很意外的是，美国或许又实现了芯片意义上的一种“0”的突破，甚至《自然》杂志认为，这将改写芯片的历史。而近日美国麻省理工大学的半导体研究团队成功开发出一种基于“二硫化钼（MoS2）的原子级薄晶体管”，这种晶体管将给芯片带来革命性的发展，毫不客气的说，未来的芯片将出现颠覆性变化。

 

要知道我们传统的芯片需要由块状材料制作，然后通过不断的打磨制作成纳米级别的芯片，每个级别的芯片都是由多个晶体管堆叠起来，但这样会带来更大的困难。于是不少的科学家们都朝着用超薄的二维材料制造晶体管，每个二维材料仅有三个原子大小，这样一来就能实现更强大的芯片。

 

但随之而来的问题则是将硅放在二硫化钼晶圆上，需要超过600摄氏度的高温才行，而一般的硅晶体和集成电路在400摄氏度就会出现损坏。因此麻省理工大学的研究团队朱佳迪带领自己的团队，将低温生长区与高温硫化物前体分解区分离，可以通过金属有机化学气相沉积法，以低于300℃的温度合成二维材料，并直接在8英寸的二硫化钼薄膜CMOS晶圆上生长，无需任何转移过程。

这意味着一个芯片巨大的格局将要被改变，因为这种方法不仅极大的节省材料，保证芯片的顺畅，还能节约时间，如果说一块芯片的出现需要进行一天时间的亮化，但使用二硫化钼（MoS2）的原子级薄晶体管”所需要的时间仅需60分钟左右。

 

可以说朱佳迪这位华人科学家为芯片的革命性突破做出巨大的历史性贡献，即便在科研强者如云的麻省理工大学里，朱佳迪都是以第一学术论文主编的身份，甚至他的导师说的：朱佳迪的能力，就犹如NBA中的“科比”。

如果朱佳迪团队的这个技术一旦成熟商业化之后，这意味着以后造芯片，或许可以像建大楼一样，把二维材料一层层地堆砌上去，将进一步把超级计算机、人工智能等带来颠覆性变化，都说科学无国界，但科学家却是有国界的。

 

当看到我们的华人科学家创造历史时，国人心中多少都有点遗憾，毕竟我们都需要有一个科学家能带领中国芯片走出当前困境，创造历史。